Как сообщает Tom’s Hardware, это означает, что TSMC нашла способы экономичного использования двойного рисунка EUV и формирования рисунка, чтобы увеличить достижимый критический размер современной литографической системы с низким содержанием апертуры за пределами 13 нм. Напротив, Intel планирует внедрить инструменты High-NA EUV со своей производственной технологией 14A после того, как научится эффективно использовать их со своим...
Сообщение TSMC заявляет, что ей не нужно оборудование ASML High-NA EUV для изготовления чипов по техпроцессу 1,6 нм появились сначала на Время электроники.
Как сообщает Tom’s Hardware, это означает, что TSMC нашла способы экономичного использования двойного рисунка EUV и формирования рисунка, чтобы увеличить достижимый критический размер современной литографической системы с низким содержанием апертуры за пределами 13 нм.
Напротив, Intel планирует внедрить инструменты High-NA EUV со своей производственной технологией 14A после того, как научится эффективно использовать их со своим производственным узлом 18A.
Однако TSMC не стоит на месте. Компания изучает возможность литографии EUV High-NA для своих будущих технологических процессов. Узел A14 будет следовать за A16, и, как отметила TSMC в своем годовом отчете за 2023 год, разработка A14 идет полным ходом.
«TSMC начала разработку и добилась хороших успехов в разработке технологии 14 Ангстрем (A14), которая направлена на дальнейшее повышение скорости, мощности, плотности и стоимости», — говорится в годовом отчете компании. «Глядя на A14 и далее, отдел исследований и разработок TSMC продолжит изучать литографические сканеры EUV (экстремального ультрафиолета) следующего поколения, проводить исследования маскирующих пленок и заготовок для поддержки передовых технологий и расширения закона Мура».
Сообщение TSMC заявляет, что ей не нужно оборудование ASML High-NA EUV для изготовления чипов по техпроцессу 1,6 нм появились сначала на Время электроники.
