Компания Samsung анонсировала выпуск второй версии памяти типа HBM (High Bandwidth Memory), которую она развивает вместе с Hynix в первую очередь для будущих видеокарт и систем виртуальной реальности. HBM2 производится по технологическим нормам 20 нм и обладает действительно высокой пропускной способностью – до 256 ГБ/с на сборку из четырёх чипов ёмкостью по одному гигабайту. Разница […]
