Cеминар «Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)»: узок круг, но ряды тесны
27 октября в Москве прошел семинар «Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)», организованный медиагруппой «Электроника». Несмотря на то, что полупроводниковые приборы на основе карбида кремния и нитрида галлия уже давно используются в силовой электронике, их стоимость по-прежнему довольно высока по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами. Поскольку, главным образом, это касается MOSFET, их применение чаще всего ограничивается приложениями, в которых...