Исследователи из Пекинского университета разработали ферроэлектрические полевые транзисторы с затвором всего 1 нанометр, которые работают при напряжении 0,6 В и потребляют в 10 раз меньше энергии. Эти чипы могут стать основой для будущих систем искусственного интеллекта.