Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B обладают высокой радиационной стойкостью
Компания Renesas Electronics объявила о выпуске 5 новых моделей микросхем статической памяти с произвольным доступом с пониженным энергопотреблением (Advanced LP SRAM), относящихся к сериям RMLV0816B и RMLV0808B. Они имеют плотность 8 Мбит и делаются по нормам 110 нм.
Для чего же использовать такой «грубый» техпроцесс, когда микросхемы для потребительской мобильной электроники уже давно выпускаются по еще более тонким нормам?
Все дело в том, что за счет роста частей удается повысить радиационную стойкость. По заверениям производителя, в новой памяти исключены однократные сбои (Soft Error либо Single-Event Upset, SEU) и защёлкивание транзисторов (Latch-up).
Предпосылкой однократных сбоев является импульс тока, возникающий при попадании в ячейку иона. Он переводит ячейку в обратное состояние, но схема остается в работоспособном состоянии. Так как размеры транзистора в новых микросхемах сравнимо значительны, для переключения требуется такой большой заряд, что возможность появления сбоя стремится к нулю. Кроме этого, в схему ячейки введен особый конденсатор. В отличие от корректировки ошибок при помощи ECC, такой подход позволяет предупредить одновременное появление нескольких ошибок. Применение этого и др. приемов, по оценке Renesas, позволило получить такую же степень радиационной стойкости, как и в случае микросхем, выпускаемых по нормам 150 нм.
Что касается защёлкивания транзисторов, его предпосылкой является вызванный ионом импульс тока, который приводит к открытию напоминающей тиристор схемы, образуемой паразитными структурами из пар транзисторов различного типа. В итоге защелкивания ток через транзисторы вырастает даже после прекращения воздействия иона, что может привести к перегреву и выходу микросхемы из строя. В новой памяти на монокристаллической подложке сформированы только транзисторы с каналом n-типа, а транзисторы с каналом p-типа сформированы как тонкопленочные транзисторы с использованием поликристаллического кремния, что исключает образование тиристора из паразитных структур и принципиально избавляет риск защёлкивания транзисторов. Попутно это позволило уменьшить площадь ячейки и размеры кристалла, приблизив эти характеристики к показателям памяти, выпускаемой по нормам 65 нм.
Потребляемый ток в режиме ожидания не превосходит 2 мкА при температуре 25°C, что делает микросхемы подходящими для хранения данных в устройствах с запасным батарейным питанием.
В планах Renesas — выпуск такой памяти плотностью 16 Мбит.
Теги:, Renesas