Этот тип энергонезависимой памяти обладает значительно более низким энергопотреблением и обеспечивает более высокую производительность по сравнению с существующими технологиями памяти. В отличие от SRAM, которая используется для кэшей и приложений внутренней памяти, SOT-MRAM имеет большую плотность и не потребляет энергию в покое, что делает его идеальным для центров обработки данных и устройств с питанием от батарей. Кроме того, SOT-MRAM демонстрирует задержки, сравнимые с DRAM, и значительно превосходит 3D NAND Flash по скорости работы. «Эта ячейка обеспечивает одновременное низкое энергопотребление и высокую скорость работы, достигая скорости 10 нс», - отметил генеральный директор Лаборатории исследований электронных и оптоэлектронных систем ITRI доктор Ши-Чиех Чанг. В будущем эта инновационная технология может найти широкое применение в высокопроизводительных вычислениях, искусственном интеллекте, автомобильной промышленности и других отраслях.
