В скором времени появится новое поколение высокоскоростной памяти – GDDR7, которая предложит пользователям гораздо большую пропускную способность, чем сегодняшняя память GDDR6, и более высокий уровень энергоэффективности. Samsung выпустила слайд, где раскрываются некоторые технические характеристики будущей памяти.
Память GDDR7 будет использовать технологию модуляции PAM3 (амплитудно-импульсная модуляция) с пропускной способностью до 36 ГБит/с. Тогда как традиционная GDDR6 использует кодирование NRZ (Non-Return to Zero) или PAM2 со скоростью передачи данных от 14 до 24 ГБит/с. Данное изменение даёт памяти GDDR7 преимущество в энергоэффективности на 25% по сравнению с GDDR6.
Примечательно, что грядущая серия Radeon 7000 оснащена памятью GDDR6 с пропускной способностью 20 ГБит/с. А в устройствах NVIDIA GeForce RTX 30/40 применяется память со скоростью до 23 ГБит/с.
GDDR7 позволит производителям графических карт установить более высокие уровни пиковой пропускной способности памяти, используя меньшие размеры шины памяти и меньшее количество модулей DRAM. С GDDR7 пропускная способность в 1152 ГБ/с может быть предложена с использованием 256-битной шины памяти, а пропускная способность в 1728 ГБ/с – с использованием 384-битной шины памяти.
