Разработано спинтронное устройство, которое может хранить данные четырьмя различными способами
Исследователи из Мэрилендского университета представили новое спинтронное устройство на основе наноразмерных структур из материалов, обладающих ферромагнетизмом (то есть постоянным, но переключаемым магнитным порядком) и сегнетоэлектричеством (то есть постоянной, но переключаемой электрической поляризацией). Это устройство, представленное в статье, опубликованной в Nature Nanotechnology, может переключаться между четырьмя стабильными состояниями сопротивления и, таким образом, может служить многопозиционной памятью.
Система, созданная исследователями с помощью нанотехнологий, объединяет два разных типа устройств: магнитные туннельные переходы (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) и сегнетоэлектрические туннельные переходы (Ferroelectric Tunnel Junction, FTJ). MTJ состоит из двух магнитных тонких пленок, разделенных тонкой изолирующей пленкой, а FTJ — из двух разных металлических электродных слоев, разделенных тонкой сегнетоэлектрической пленкой. Оба этих типа устройств зарекомендовали себя как перспективные решения для хранения информации.
«При объединении туннельных контактов с магнитным и туннельным переходами — то есть двух разных ферромагнитных электродов, разделённых тонким слоем сегнетоэлектрика, — образуется новое устройство под названием «мультиферроидные туннельные переходы» (MFTJ)», — рассказал Phys.org Чен Гонг, старший автор статьи.
«Это устройство с четырьмя состояниями: когда намагниченности двух электродов параллельны или антипараллельны, возникают два различных туннельных сопротивления, обусловленных эффектом туннельного магнитосопротивления (ЭТМС); при изменении поляризации сегнетоэлектрика в двух противоположных направлениях возникают два различных туннельных сопротивления, обусловленных эффектом туннельного электросопротивления (ЭТС)».
Ключевое преимущество устройств MFTJ заключается в том, что, как ожидается, они будут демонстрировать четыре различных типа электрического сопротивления (то есть состояния), а не два, как в случае с MTJ и FTJ. Переключаться между этими состояниями можно с помощью внешних электрических и магнитных полей.
Сообщение Разработано спинтронное устройство, которое может хранить данные четырьмя различными способами появились сначала на Время электроники.