На мировом рынке памяти происходит фундаментальная смена режима

В 2023 году такие модули памяти, как DDR2, DDR3, DDR4 и LPDDR4, а также флэш-память, такая как MLC и eMMC, поддерживались на 100 % на производстве. Однако к 2025 году поддержка по объёму уже сократилась примерно до 40 %, а к 2027–2028 годам они останутся только в нишевых отраслях промышленности, автомобилестроения и оборонной промышленности. Производство пластин для этих модулей будет на 80–90 % ниже, чем в 2023 году, не потому, что спрос упал, а потому, что производственные мощности, инструменты и бюджеты на исследования и разработки были направлены на технологии для искусственного интеллекта.

Таким образом, устаревшая память не умирает, а становится специализированным продуктом. Без экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии, гибридного соединения, CoWoS или усовершенствованной системы корпусирования эти продукты больше не могут конкурировать за капитал с логикой искусственного интеллекта и памятью с высокой пропускной способностью (HBM). Именно поэтому их средняя цена продажи становится структурно высокой, даже когда спрос на единицу продукции стабилен.

Нехватка же памяти, произведенной по передовым технологиям связана с техническими, а не экономическими ограничениями. Передовые модули DRAM, такие как DDR5, LPDDR6, GDDR7 и особенно поколения HBM, сталкиваются с беспрецедентными проблемами масштабирования при техпроцессе менее 15 нм. Обычные структуры DRAM на основе конденсаторов приближаются к фундаментальным физическим границам, что приводит к увеличению плотности дефектов и замедлению темпов выхода годной продукции. В то же время современная память в значительной степени зависит от сложной 2,5D- и 3D-интеграции: TSV, гибридного соединения и кремниевых прослоек. Для этих процессов требуются специализированные инструменты и упаковочные мощности, которые могут предоставить лишь несколько поставщиков по всему миру.

Даже когда вводятся в эксплуатацию новые фабрики, узким местом становится пропускная способность упаковки и инженерный опыт, которые масштабируются гораздо медленнее, чем производство пластин. Ситуация усугубляется тем, что ускорители ИИ потребляют огромную пропускную способность памяти: каждый стек HBM использует ресурсы пластины, эквивалентные десяткам обычных модулей DRAM. Это создаёт среду, в которой спрос растёт в геометрической прогрессии, а физические и технические ограничения сдерживают рост предложения до 2028 года и далее.

Память больше не является расходным материалом; она стала стратегической инфраструктурой.

Сообщение На мировом рынке памяти происходит фундаментальная смена режима появились сначала на Время электроники.