По информации TrendForce, в отличие от HBM3E, где стеки DRAM просто подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя чип, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизированные для конкретных IP-адресов и приложений заказчика. После завершения проверки производительности микросхем Samsung планирует предоставить клиентам образцы HBM4 для тестирования.
Это стало бы важной вехой для Samsung. В предыдущем отчёте Maeli Business Newspaper говорится, что гигант в сфере памяти уже начал разработку «Custom HBM4» — высокопроизводительной памяти нового поколения, разработанной специально для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ожидается, что массовое производство начнётся в 2025 году. Поскольку главный конкурент Samsung, компания SK hynix, получила львиную долю заказов на HBM3 и HBM3E от NVIDIA, внедрение собственных передовых узлов в производство HBM4 считается поворотным моментом для Samsung на рынке HBM.
Примечательно, что SK hynix использует 5-нанометровый техпроцесс TSMC для производства логических микросхем, в то время как Samsung, как сообщается, рассчитывает на более продвинутый 4-нанометровый техпроцесс для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует внедрить в производство HBM4 более передовые технологии. Ожидается, что Samsung будет использовать DRAM 6-го поколения (c) 10-нм класса в своих продуктах HBM, а SK hynix будет использовать DRAM 5-го поколения (b) 10-нм класса. Вместо усовершенствованной технологии термокомпрессионной непроводящей плёнки (TC-NCF), которую компания использовала ранее, Samsung планирует внедрить технологию гибридного соединения для создания 16-слойных продуктов HBM4, которая позволяет напрямую соединять микросхемы с помощью меди вместо традиционных выступов, отмечается в отчёте.
Сообщение Samsung начинает пробное производство памяти HBM4 с использованием собственного 4-нм техпроцесса появились сначала на Время электроники.
