Полевой транзистор с гетеропереходом, HGFET, который обеспечивает высокую чувствительность при обнаружении коротковолнового инфракрасного излучения с зарегистрированной удельной детектирующей способностью выше 1014 Джонсов на длине волны 1300 нм разработала команда профессора Чжан Чжиюна.
