По сообщениям, Samsung Electronics перевела 2000 инженеров в свой полупроводниковый центр в Пхёнтхэке, чтобы решить проблемы с производством памяти с высокой пропускной способностью (HBM). Однако компания отрицает эти заявления.
Корейские СМИ предполагают, что перестановки возглавил Янг-Хьюн Чжун, глава подразделения Samsung Device Solutions. Перестановки направлены на повышение производительности шестого поколения 10-нм DRAM и конкурентоспособности HBM.
Samsung столкнулась с трудностями в обеспечении соответствия стандартам Nvidia HBM3E, что исключило ее из цепочки поставок Nvidia. Аналитики связывают проблемы с тем, что Samsung использует технологию NCF, в то время как конкуренты, такие как SK Hynix, применяют более современные методы, например MR-MUF. Согласно отчетам, уровень выхода HBM3 у Samsung составляет 10−20%, что значительно уступает 60−70% у SK Hynix.
