Учёные из новосибирского Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук представили технологию, которая способна создавать флешки будущего, работающие в два-три раза быстрее существующих аналогов. Кроме того эти флеш-памяти способны дольше сохранять информацию.Главной особенностью новой технологии и благодаря чему флеш-память стала обладать такими свойствами, не имеющими пока аналогов в мире стал материал мультиграфен (отдельный материал с уникальными физическими свойствами). Новосибирские физики рассматривают мультиграфен и в качестве запоминающей среды для хранения электрического заряда, что может стать основой для флешек нового поколения. Помимо мультиграфена, необходимыми компонентами таких флэш-носителей являются туннельный (из оксида кремния) и блокирующий слои. Эффективность же запоминающего устройства зависит от величины работы выхода запоминающей среды - энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества и в этом плане многослойный графен уникален."Это тема модная как с точки зрения фундаментальной науки, так и прикладной" – отметила старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.Стоит отметить ,что о промышленном производстве мультиграфеновых флеш-носителей пока речи не идёт. В настоящее время учёные работают только над фундаментальными исследованиями. Однако опытные образцы уже есть и с ними ведётся работа. Для того чтобы поставить производство в России таких уникальных устройств, за которыми будущее элекроники, необходимо строительство завода с современными технологиями. Стоимость строительтва обойдётся около пяти миллиардов долларов.
