«Наш лазерный метод с атомной точностью обеспечивает управление алмазной поверхности в стандартных атмосферных условиях, - сказал Моджтаба Мошкани, из Университета Маккуари, главный исследователь. – Подобный уровень точности обычно достигается большим и сложным вакуумным оборудованием. Способность добиться его при помощи простого лазера – выдающееся достижение».
Точные импульсы лазерного света запускают локализованные химические реакции на поверхности алмаза. Эти реакции, запущенные двухфотонным процессом, избирательно удаляют атомы углерода с верхнего атомного слоя. Метод оказался не только точным, но и быстрым. В экспериментах лазер удалил 1% монослоя всего за 0,2 мс.
Параллельно с разработкой технологии ученые сделали поразительное открытие – проводимость на поверхности алмаза после воздействия лазером может возрасти в семь раз. Это явление подтвердила независимая команда из Лаборатории Линкольна (Массачусетский технологический институт).
Результаты исследований ученых под руководством Мошкани делают алмазы еще более привлекательными для полупроводниковой промышленности. Уникальные свойства алмазов, в том числе, высокая теплопроводность и устойчивость к электрическому пробою делают этот минерал идеальным материалом для мощной и высокочастотной электроники. Технология может найти применение в электронике, квантовых устройствах и передовых методах производства – там, где даже мельчайшее изменение атомов на поверхности материала значимо повышает производительность, https://www.sciencedaily.com/releases/2024/12/241202124509.h... Science Daily.
Натуральным алмазам требуются миллиарды лет на то, чтобы сформироваться в недрах земли, в условиях высокого давления и температуры. Новый https://hightech.plus/2024/04/25/bistrii-metod-sozdaniya-sin... на основе жидких металлов позволяет получать искусственные алмазы за 150 минут при 1 атмосфере.
