Исследователи НИТУ МИСиС улучшили структуру полупроводниковых выпрямителей тока, которые применяются в силовой электронике, телекоммуникациях, бытовой электронике и автомобильной промышленности. Новая разработка позволяет перейти к более эффективной и надежной структуре выпрямителей, уменьшающей токи утечки в десятки раз.
Выпрямители — важнейший компонент источников питания, преобразующий переменный ток в постоянный, а полевые транзисторы используются в усилителях сигнала и радиочастотных приложениях. В последние несколько лет сильно возрос интерес к использованию сверхширокозонного оксида галлия бета-полиморфа (β-Ga2O3). Это перспективный кандидат для применения в мощных выпрямителях и полевых транзисторах следующего поколения из-за его уникальных свойств, простоты технологии и низкой стоимости, говорится в сообщении пресс-службы НИТУ МИСиС.
Материал способен выдерживать высокие напряжения и работать при высоких температурах. Кроме того, его можно использовать в высокомощных силовых устройствах. Он обладает высокой скоростью насыщения электронов, одной из самых высоких среди всех полупроводников.
По характеру проводимости полупроводники делят на n-тип и р-тип. Полупроводник n-типа имеет примесные элементы, которые называются доноры. Основными носителями заряда являются электроны. Полупроводники р-типа содержат акцепторные примеси, захватывающие валентные электроны, и характеризуются дырочной проводимостью, то есть за проводимость отвечает дырка 一 «отсутствие электрона».
