На конференции ISSCC 2023 представители компании SK hynix выступили с докладом, в котором сообщили о создании первой в мире памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Документ готовили 35 инженеров компании, что лишний раз подчёркивает сложность совершенствования техпроцесса производства многослойной флеш-памяти. Примечательно, что разработчики не только увеличили плотность записи, они значительно подняли пропускную способность чипов: со 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с. Предыдущий рекордсмен — 238-слойная 3D NAND SK hynix. Источник изображения: SK hynix
