Графеновый «сэндвич» открыл путь к сверхтонкой памяти без традиционных ферроэлектриков
Команда профессора Ёнгука Кима (DGIST, Южная Корея) совместно с коллегами из KAIST разработала новый принцип памяти для сверхтонких устройств. Они создали структуру, где слой гексагонального нитрида бора (hBN) зажат между графеном и α-RuCl3.
В такой «сэндвич»-конфигурации на границе материалов самопроизвольно формируются электрические диполи, которые можно переключать и использовать для хранения информации — как в обычных ферроэлектриках, но без их недостатков.
Эксперименты показали, что память работает даже при температуре −243°C (30 K) и сохраняет данные более пяти месяцев без питания. Переключение происходит только за счёт электрических сигналов и не зависит от магнитных полей, что делает технологию стабильной и энергоэффективной.
Открытие важно для создания новых типов памяти для квантовых компьютеров и ультраэкономичных электронных устройств.