Россия представила дорожную карту по разработке собственных литографических машин, направленную на создание менее дорогостоящего и сложного оборудования, чем системы, разрабатываемые компанией ASML. Эти машины будут использовать лазеры, работающие на длине волны 11,2 нанометра вместо стандартных 13,5 нм, используемых ASML. Эта длина волны будет несовместима с существующей EUV-инфраструктурой (EUV: литография в экстремальном ультрафиолете) и потребует от России разработки собственной экосистемы литографии, что, вероятно, займет годы, если не десятилетие или больше.
В отличие от литографических машин компании ASML, российские EUV-сканеры будут использовать лазерный источник на основе ксенона с длиной волны 11,2 нм вместо систем ASML на основе олова. Это значительно снизит загрязнение оптических элементов, продлевая срок службы критически важных деталей.
Российские литографические машины будут менее мощными, чем у ASML, с производительностью примерно в 2,7 раза ниже; однако этой производительности должно хватить для мелкосерийного производства.
Хотя 11,2 нм и находится в спектре экстремального ультрафиолета, это все же означает, что все оптические элементы — зеркала, покрытия, конструкции масок и резисты — должны быть специально спроектированы и оптимизированы для новой длины волны.
В результате инструменты на основе 11,2 нм не будут напрямую совместимы с существующей инфраструктурой EUV и экосистемой, построенной вокруг 13,5 нм. Фактически, даже электронные инструменты автоматизации проектирования должны быть обновлены для EUV-инструментов с лазерами 11,2 нм.
Все существующие инструменты необходимо будет перекалибровать или обновить с помощью новых моделей процесса, адаптированных для 11,2 нм.
Разработка будет проходить в три этапа. На первом этапе планируются фундаментальные исследования, определение ключевых технологий и тестирование исходных компонентов. Второй этап будет включать создание прототипа, способного обрабатывать шестьдесят 200-мм пластин в час, и его интеграцию в отечественные линии по производству чипов. Третий этап будет направлен на поставку готовой к производству системы, способной обрабатывать шестьдесят 300-мм пластин в час. Пока остается неясным, какие технологические процессы будут обеспечивать новые инструменты литографии.
Учитывая, что использование лазеров с длиной волны 11,2 нм требует разработки совершенно новой экосистемы, которой на сегодняшний день не существует, на разработку новых систем EUV-литографии может потребоваться десятилетие или даже больше.
The post Россия планирует производство чипов по собственной уникальной технологии appeared first on MixedNews.
