Структурно-чувствительные свойства феррита никеля меняются на фоне точечных дефектов в структуре соединения. Благодаря этому материал можно применять для спинтроники и производства микросхем резистивной памяти. К такому выводу пришли сотрудники Московского физико-технического института (МФТИ) и Объединенного института высоких температур (ОИВТ) РАН совместно с коллегами из Индонезии и Тайваня, пишет сайт «Известия».
Отмечается, что исследовательская работа ученых открывает путь к производству энергонезависимых микросхем резистивной памяти. В них проводимость управляется посредством формирования проводящих филаментов.
