Ученые Национального исследовательского университета «МЭИ» (НИУ «МЭИ») создали новый источник излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне длин волн (ЭУФ) с помощью добавления лития в гелиевый плазменный заряд. Разработка позволит усовершенствовать технологию литографии микросхем, уменьшить их размеры и увеличить быстродействие, говорится в сообщении НИУ «МЭИ».
«В МЭИ разработали экспериментальный образец источника излучения в экстремальном ультрафиолете. Эксперименты с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд показали возможность создания стационарного источника, востребованного технологией ЭУФ-литографии, которая применяется в микроэлектронике для уменьшения характерных размеров элементов схем, в результате чего увеличивается их быстродействие и уменьшается размер изделия», — говорится в сообщении.
Экспериментальный комплекс и источник излучения на его основе разработаны коллективом ученых на кафедре общей физики и ядерного синтеза НИУ «МЭИ». Отмечается, что новый источник имеет повышенный КПД по сравнению с существующими источниками ЭУФ-излучения.
«Новые решения, разработанные нашими учеными, направлены на создание отечественного производства элементов интегральных схем для микроэлектроники и связаны с задачами технологического суверенитета России», — отметил ректор НИУ «МЭИ» Николай Рогалев, его слова приводятся в сообщении.
Сообщение В МЭИ приблизили Россию к созданию собственной литографии в EUV-диапазоне появились сначала на Время электроники.
