На форуме Open Innovation Platform (OIP) компания TSMC рассказала о своих планах на будущее в области корпусировки чипов, а именно о технологии Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS). Она более подробно определила прежние цели по размеру используемого слоя интерпозера. В настоящее время корпусировка CoWoS ограничена трехкратным пределом Reticle Limit, то есть максимальным размером монолитного кристалла.
В текущем производстве с использованием EUV-литографии этот предел составляет 858 мм² и практически исчерпан, например, графическим процессором Blackwell от NVIDIA. Два графических процессора Blackwell и восемь чипов памяти HBM3E размещают в корпусировке, изготовленной TSMC. N5 SoIC (System-on-Integrated Chips) в корпусировке CoWoS с 3,3-кратным пределом Reticle Limit — это текущий максимум для TSMC.
По данным Tom’s Hardware , в следующем году TSMC планирует использовать N3/N2 SoIC в корпусировке с пределом Reticle Limit в 5,5 раз. Вычислительные кристаллы при этом ...
