Мощность производства составит 5,4 тыс. штук пластин в год. Эта продукция, отметили в компании, позволит «не догонять иностранные государства», а составить им конкуренцию на внутреннем и внешнем рынках. При этом пока спрос на такие транзисторы «потенциальный».
О планах входящего в ГК «Элемент» воронежского НИИЭТ вложить 5,5 млрд руб. в локализацию кристального производства полного цикла силовых приборов на основе технологий широкозонных полупроводников GaN гендиректор предприятия Павел Куцько рассказал на XIV воронежском промышленном форуме. Производственная мощность составит 5,4 тыс. штук пластин в год. В рамках реализации проекта планируется оснастить производство дополнительным оборудованием.
Полупроводники будут производить на основе гетероструктур нитрида галлия на кремнии для силовой электроники диаметром 200 мм. НИИЭТ планирует выпускать силовые СВЧ GaN НЕМТ-транзисторы (с высокой подвижностью электронов) и GaN-транзисторы (с улучшенными характеристиками по сравнению с кремниевыми транзисторами, работают на более высоких частотах). Павел Куцько рассказал, что «Элемент» уже имеет компетенции по производству на других предприятиях группы: «Мы единственные в России выпускаем изделия на основе нитрида галлия».
По его словам, проект запуска производства нитрид-галлиевых структур для силовой электроники амбициозный. «Это проект, с которым мы можем обеспечить лидерство по перспективным технологиям производства на внутреннем и внешнем рынках»,— рассказал глава НИИЭТ.
Проект планируется реализовать за счет собственных средств ГК «Элемент» и внешнего финансирования, рассказал Павел Куцько.
По его словам, запуск проекта запланирован на 2025 год, а на проектную мощность предприятие рассчитывает выйти в течение трех лет.
По данным Rusprofile, АО «НИИЭТ» зарегистрировано в Воронеже в октябре 2012 года для прочих научных исследований и разработок в области естественных и технических наук. Уставный капитал — 1,7 млрд руб. Актуальные финансовые показатели не раскрываются. В 2016 году выручка составляла 1,3 млрд руб., чистая прибыль — 89,6 млн. В 2013–2020 годах получил 210 госконтрактов на 3,9 млрд, а в 939 контрактах на 4,6 млрд был заказчиком.
По собственной информации, НИИЭТ был основан в 1961 году при Воронежском заводе полупроводниковых приборов. Выпускал германиевые мощные транзисторы, создал первую отечественную интегральную схему, затем — кремниевую монолитную схему. В 1970-е годы разрабатывал микроконтроллеры и однокристальные микро-ЭВМ, а параллельно развивал направление мощных СВЧ-транзисторов. В 1983 году стало самостоятельным предприятием и получило свое нынешнее название. Спустя три года ФГУП «НИИЭТ» было определено головным предприятием отрасли по созданию цифровых процессов обработки сигналов для специальной техники. Как ФГУП работал до 2012 года, затем был преобразован в АО. До 2021 года принадлежал Росимищуству, после вошел в ГК «Элемент».
За годы деятельности НИИЭТ разработал и освоил более 150 типономиналов мощных СВЧ-транзисторов и множество интегральных схем различного назначения. Сейчас специализируется на разработке и производстве микроконтроллеров, микропроцессов, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона. Входит в недавно образованный в Воронежской области кластер радиоэлектронной промышленности.
Сейчас НИИЭТ завершает проект по созданию сборочного производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в металлополимерных корпусах. «Это возможность массово и дешево поставлять серийный продукт в пластиковых корпусах, так как основное в его цене — именно корпус»,— отметил Павел Куцько. Инвестиции составили 874 млн руб. Целевая производственная мощность микроконтроллеров, преобразователей питания, кремниевых и нитрид-галлиевых транзисторов, а также монолитных интегральных схем — 10 млн штук в год. Запуск пилотных партий запланирован в сентябре.
По мнению управляющего партнера IPM Consulting Вадима Тедеева, теория в этой сфере значительно опережает практику. «Как и с другими прорывными технологиями, это замкнутый круг: для завоевания потребительского рынка нужна невысокая цена конечного изделия, для дешевизны производства нужна массовость, масштаб, для масштаба — инвестиции, а для инвестиций — хорошие продажи. Выход из этого замкнутого круга в России, на мой взгляд, возможен только за счет государственных инвестиций, но нужно понимать, что за границей аналогичные технологии разрабатываются где-то с 60-х годов ХХ века, правда, технологический прорыв наступил совсем недавно»,— отметил господин Тедеев.
Он напомнил, что чипы на основе нитрида галлия используются, например, в так называемых «быстрых» зарядках большой мощности, которые сейчас только начинают появляться в сегменте потребительской электроники. «Драйвером роста этого рынка должны стать зарядные устройства на основе нитрида галлия с мощностью более 100Вт, но сейчас их доля не превышает 10%. 5,4 тыс. чипов для мирового рынка — это капля в море, но важно начать инвестировать, возможно, использовать для этого механизм государственно-частного партнерства»,— считает эксперт.
Сообщение В Воронеже за 5,5 млрд рублей хотят локализовать производство GaN-транзисторов появились сначала на Время электроники.
