Средства на разработку технологии массового производства перспективной энергонезависимой памяти UltraRAM привлекла британская компания Quinas, 15 июля пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly. Сообщается, что Quinas привлекла £1,1 млн (125,5 млн руб.) на проработку вопроса массового производства очень быстрого и энергонезависимого вида памяти. Планируется проработать проблемы перевода UtlraRAM с опытного производства на базе мощностей Ланкастерского университета на промышленное в Кардиффе. Главной задачей на данной момент является обеспечение возможности выращивания полупроводниковых структур на основе антимонида галлия и антимонида алюминия в рамках массового производства. Выпускать микросхемы планируется на 150 мм пластинах на мощностях компании IQE. Опытное производство велось на пластинах 75 мм. Новый вид памяти обладает уникальным набором характеристик. По скорости UtlraRAM сопоставима с оперативной памятью DRAM. При этом память является энергонезависимой, имеет большую долговечность и надежность, чем флеш-память. К тому же она энергоэффективнее и флеш-памяти, и DRAM. Обратной стороной медали является высокая сложность структуры UtlraRAM. Это приводит к сложности освоения массового производства. glavno.smi.today
