Специалисты отмечают, что изначально планы компании Samsung Electronics выпустить петабайтное хранилище данных казались слишком уж нереалистичными — для этого нужно создать уникальную систему производства чипов памяти, что на самом деле достаточно сложная задача. Но теперь, судя по информации инсайдеров, компания рассматривает возможность использования новых материалов, чтобы выпустить NAND-памяти с 1000 слоями. Собственно, только недавно журналисты сообщали о том, что компания планирует выпуск флэш-памяти V-NAND 9-го поколения, которая будет иметь 290 слоёв, наложенных друг на друга. Благодаря этому производителю удастся поставить новый рекорд на рынке, потому что у конкурентов такого набора чипов памяти нет.
Т
