Тайваньский полупроводниковый гигант TSMC анонсировал передовой техпроцесс 1,6 нм (A16). Он станет первым производственным узлом компании, который должен существенно превзойти техпроцесс N2P. Ключевым изменением в данной технологии станет новая схема подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины (BSPDN). Это должно повысить энергоэффективность чипов.
Как и 2-нм техпроцесс (N2, N2P и N2X), производство чипов TSMC по 1,6-нм технологии будет основано на использовании улучшенных транзисторов с круговым затвором (GAA), но отличаться будет обратной подачей энергии, получившей название Super Power Rail. Эта технология специально разработана для процессоров искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. Техпроцесс 1,6-нм обещает повышение тактовой частоты до 10% при том же напряжении и снижение энергопотребления на 15-20%. Кроме того, новая технология может обеспечить увеличение плотности транзисторов на 7-10% в зависимости от фактической конструкции.
Примечательно, что подобное решение с новой схемой питания планирует использовать и компания Intel при выпуске чипов по технологиям 20A и 18A с 2025 года. Однако TSMC выбрала одну из самых сложных реализаций BSPDN, сложнее, чем Intel Power Via. Между тем, предлагая 1,6 нм с транзисторами GAA и SPR, а также 2 нм только с транзисторами GAAFET, у компании будет два отдельных не конкурирующих между собой техпроцесса с определёнными преимуществами.
График производства A16 указывает на то, что массовый выпуск 1,6-нм чипов начнётся во второй половине 2026 года. Такие устройства, вероятнее всего, появятся в продаже в 2027 году. A16 потенциально будет конкурировать с 14A, который станет самым продвинутым техпроцессом Intel.
