Samsung сообщила о разработке чипа высокопропускной памяти (HBM) стандарта HBM3E. Объём памяти рекордный — 36 ГБ на стек.
Как сообщается, HBM — тип компьютерной памяти, при изготовлении которой применяется многоуровневая компоновка нескольких слоёв чипов, интегральные схемы устройства располагаются друг над другом. Это позволяет уменьшить размер чипа и увеличить ширину шины и, как результат, скорость передачи данных.
Samsung заявила, что такой чип с 12-слойной компоновкой на 50% увеличит скорость обработки процессов и передачи информации в ИИ-алгоритмах по сравнению с текущим стандартом 8-слойных устройств поколения HBM3. По словам исполнительного вице-президента по планированию продуктов компьютерной памяти Samsung Electronics Пэ Юн Чхоля, новый чип позволит увеличить среднюю скорость обучения моделей ИИ на 34%.
Сообщается также, что в этих чипах расстояние между кристаллами памяти в стеке составляет не более 7 мкм. При этом плотность компоновки микросхем специалисты Samsung смогли увеличить на 20%.
«Компаниям в сфере ИИ всё чаще требуются HBM-устройства большой производительности, новый 12-слойный чип поможет им в этом», — заявил Пэ Юн Чхоль.
