TSMC сделала внушительный шаг в области разработки полупроводниковых компонентов. Настолько, крупнейший в мире производитель микросхем будет на завершающей стадии создания... TSMC сделала внушительный шаг в области разработки полупроводниковых компонентов. Настолько, крупнейший в мире производитель микросхем будет на завершающей стадии создания 2 нм технологии, какая в кратчайшем предбудущем возникнет в чипсетах электронных устройств. Сообразно информации, опубликованной ресурсом PatentlyApple, в грядущем 2 нм техпроцессе будет использоваться зодчество полевых транзисторов с несколькими мостовыми каналами(MBCFET), в то времена будто при 3 нм и 5 нм технологиях применяется архитектуры полевых транзисторов плавникового субъекта(FinFET). Ожидается, что в архитектуре MBCFET будут ликвидированы плотские ограничения, связанные с утечками токов управления, какие были присущи FinFET. Бражка планирует выйти на серийное изготовление продукции с использованием 2 нм техпроцесса в 2024 году, отвечающая производственная площадка уже готовится на Тайване. Кроме многообещающих финансовых перспектив, какие сулит настоящая разработка, жрать еще один-одинехонек позитивный момент для TSMC: с запуском 2 нм технологии бражка внушительно обгонит своего основного конкурента — Samsung. <- Недовольные политикой Apple братии основали коалицию
