Ученые МТИ и Высшей технической школы Цюриха, открывшие два года назад новый магниторезистивный эффект, нашли для него применение в создании компьютерной памяти с четырьмя стабильными магнитными состояниями, позволяющей хранить четыре бита информации в одной магнитной структуре.