Учёные СПбГУ изучили передовой сплав, используемый в оптоэлектронике
Физики Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ), в сотрудничестве с другими научными организациями изучили, как формируются трёхмерные структуры на основе полупроводникового сплава индий-галий-нитрид (InGaN). Это открытие может сыграть важную роль в разработке нового поколения оптоэлектронных устройств для электроники и связи. InGaN уже используется в производстве светодиодов, но его потенциал для других применений, таких как газовые сенсоры и солнечные батареи, пока не реализован.
На данный момент основной проблемой для широкого использования InGaN является явление «разрыва растворимости», из-за которого материал нестабилен и распадается на отдельные фазы. Физики нашли способ синтезировать этот сплав прямо на поверхности кремния в виде нитевидных нанокристаллов, что открывает новые горизонты для применения материала. Как отметил руководитель лаборатории новых полупроводниковых материалов СПбГУ Родион Резник, они впервые смогли объяснить механизм формирования таких сложных структур, что поможет в создании эффективных приборов.
Команда учёных провела серию экспериментов, синтезируя образцы и изучая их свойства на различных этапах роста. Владислав Гридчин, младший научный сотрудник лаборатории, подчеркнул, что работа позволила получить представление о механизмах формирования InGaN наноструктур и определить параметры для теоретического описания процессов роста. Эти исследования проводились с использованием современного оборудования, и их результаты могут значительно повлиять на развитие квантовых технологий в микроэлектронике.
