Физики Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ) вместе с коллегами из Академического университета имени Ж. И. Алферова, Института проблем машиноведения РАН и Высшей школы экономики изучили механизм формирования трехмерных структур на основе полупроводникового сплава индий-галий-нитрид (InGaN). Результаты исследования опубликованы в ACS Applied Nano Materials.
InGaN используется для создания светодиодов и других оптоэлектронных устройств, но его применение ограничено из-за сложности синтеза и интеграции с кремнием. Ученые выяснили, что использование метода молекулярно-пучковой эпитаксии для создания нанокристаллов и наноцветов значительно расширяет потенциал этого материала.
Родион Резник из СПбГУ отметил, что понимание механизмов формирования этих сложных структур открывает возможности для разработки нового поколения оптоэлектронных устройств. На основе исследований уже создаются прототипы светодиодов и сенсоров, что может способствовать технологическому прогрессу в микроэлектронике.
