Еще до конференции Flash Memory Summit, которая пройдет на следующей неделе, Micron решила представить новую флэш-память NAND с 232 слоями. Также компания показала новые чипы TLC NAND, которые как раз базируется на упомянутой флэш-памяти 232L NAND, что позволяет дать не только более высокую плотность расположения ячеек, но и более высокую пропускную способность.
Память Micron NAND обеспечивает рекордное количество слоев: до сих пор максимумом оставались 176 слоев (два стека 88L NAND). Теперь максимум увеличивается до 232 слоев (два стека по 116 слоев). На рынке флэш-памяти только Samsung может выпускать подобные стеки с числом слоев, превышающих 200. Впрочем, данная память еще не дошла до этапа массового производства. 232L NAND дает плотность памяти 14,6 Гбит/мм², что на 43% превышает предыдущее поколение 176L NAND.
С одной стороны, более высокая плотность ...
