Производители памяти 3D NAND продолжают рваться вверх, выпуская чипы с постоянно растущим числом слоёв. Это позволяет экономить место на кристалле, не жертвуя ёмкостью микросхем. Первыми рубеж в 100 слоёв покорили Samsung и SK Hynix, а сегодня их догнала Western Digital. Компания Western Digital сообщила, что она совместно со своим партнёром японской компанией Kioxia (ранее Toshiba Memory) завершили разработку 112-слойной памяти 3D NAND, которая в определении партнёров относится к пятому поколению памяти BiCS (BiCS5). Также компании приступили к опытному производству микросхем нового поколения в виде 512-Гбит чипов с записью трёх бит в каждую ячейку или TLC.
