Специалисты немецкой компании Infineon Technologies рассказали о большом шаге, который они сделали в области полупроводникового производства. Им удалось создать 300-миллиметровую пластину на основе нитрида галлия (GaN).
Пластина была выпущена на заводе в Филлахе (Австрия), где налажено серийное производство традиционных кремниевых пластин. С целью решения задачи производственная линия была специально модернизирована, чтобы получить пластину на основе GaN. Этому способствовало схожесть в производстве кремния и нитрида галлия.
Созданная компанией Infineon Technologies пластина может стать настоящим прорывом в полупроводниковой отрасли. Дело в том, что сейчас многие предприятия, задействованные в данной сфере, активно занимаются поисками альтернативного материала кремнию, и в этом случае нитрид галлия — один из лучших кандидатов на эту роль. Правда, здесь есть большое «но». Производство пластин на основе GaN довольно затратно, и, наверное, сейчас это единственное препятствие для запуска подобной продукции в массовое производство.
Компания Infineon Technologies делает упор именно на минимизации производственных затрат. Утверждается, что изготовленная её специалистами 300-миллиметровая пластина содержит в 2,3 раза больше чипов, чем классическая «вафля» диаметром 200 мм. В итоге, конечный потребитель получит продукцию с более высокой производительностью, но с ценой, которая примерно останется на том же уровне.
Производитель намерен официально представить пластины на основе нитрида галлия в ноябре на специальной конференции в Мюнхене (Германия).
