Специалисты из Московского физико-технического института (МФТИ) и Объединенного института высоких температур (ОИВТ) РАН вместе с коллегами из Тайваня и Индонезии изучили структурно-чувствительные свойства феррита никеля.
Исследователи установили, что свойства этого материала могут меняться из-за наличия точечных дефектов в структуре соединения. Благодаря этому феррит никеля — перспективный материал для спинтроники и производства микросхем резистивной памяти, рассказали «Известиям» в МФТИ. Результаты исследований будут полезны для разработки быстродействующих и энергонезависимых электронных устройств.
Можно ожидать, что сложные расчеты электронной структуры феррита никеля и подобных ему материалов, выполненные группой из российских и иностранных ученых, поспособствуют разработке быстродействующих электронных устройств, подчеркнули специалисты.
Исследование открывает путь к созданию энергонезависимых микросхем резистивной памяти, где управление проводимостью осуществляется через формирование проводящих филаментов, рассказал лаборант Центра компетенций НТИ «Цифровое материаловедение: новые материалы и вещества» МГТУ им. Н.Э. Баумана Василий Чалый.
«Такие устройства сочетают быстродействие оперативной памяти и надежность хранения данных, что делает их перспективными для использования в электронике автомобилей, носимых гаджетах, а также в системах интернета вещей (Internet of Things) и других энергозависимых приложениях, где важна устойчивость к экстремальным условиям», — отметил он.
Подробнее читайте в эксклюзивном материале «Известий» в пятницу, 13 декабря, в 10:00:
Дефекта ради: найден идеальный материал для чипов гаджетов и автоэлектроники
