Компания Samsung торжественно отметила установку первого оборудования в новом комплексе исследований и разработок полупроводников (NRD-K) в кампусе Гихын. Этот проект стоимостью около 14,4 миллиарда евро будут расширять после 2030 года. Samsung планирует использовать комплекс для ускорения разработки памяти, систем LSI и производства полупроводников Foundry.
Комплекс занимает площадь 109 000 квадратных метров, что примерно соответствует 15 футбольным полям. Здесь также построят производственную линию, специально предназначенную для исследований и разработок, которая начнёт работу в середине 2025 года.
В NRD-K применят новейшие установки для экстремальной ультрафиолетовой литографии с высокой апертурой (High-NA EUV). С их помощью Samsung планирует ускорить разработку полупроводниковой памяти следующего поколения, такой как 3D DRAM и V-NAND с более чем 1 000 слоями. Кроме того, компания создаст инфраструктуру для соединения пластин между собой (wafer bonding).
{nozuna nzimagefromgallery}0f388c27-a67a-11ef-9766-000c2932240f 0{/nozuna nzimagefromgallery}В последние годы Samsung уступает конкурентам, ...
