Samsung lanzará una nueva generación de chips de memoria a fines de 2021, la primera en siete años, que promete duplicar las velocidades y ofrecer la mayor capacidad hasta el momento con el objetivo de seguir el ritmo de crecimiento de los centros de datos y las demandas de la inteligencia artificial.
El mayor fabricante de chips de memoria del mundo dijo que desarrolló módulos de memoria DDR5 (doble velocidad de transmisión de datos tipo 5) de 512 GB basados en un proceso de fabricación de High-K Metal Gate (HKMG) que se ha utilizado tradicionalmente en chips lógicos.
La memoria DDR5 será dos veces más rápida que la DDR4 actual, al tiempo que reduce las fugas y usa aproximadamente 13 por ciento menos de energía, escribió la compañía en su anuncio.
Samsung espera que la transición a DDR5 comience en la segunda mitad de este año. La industria de los chips ha anticipado la adopción del nuevo estándar de memoria y recibirá el respaldo de los próximos procesadores Xeon Scalable de Intel, con nombre en código Sapphire Rapids.
Además de asociarse con los dos principales proveedores de CPU, Intel y Advanced Micro Devices, Samsung ha enviado muestras de su nueva memoria a los desarrolladores de plataformas de centros de datos, dijo la compañía a Bloomberg News.
Los analistas estiman que los chips DDR5 serán aproximadamente 20 por ciento más grandes que las piezas DDR4, lo que conducirá a una mayor presión en las cadenas de suministro.
Samsung tiene la intención de comenzar los envíos este año y evolucionar gradualmente tanto sus procesos de fabricación como los precios, que incluirán una prima para el período inicial. Se espera que el cruce entre DDR4 y DDR5 ocurra ya en la segunda mitad de 2023, dijo la compañía con sede en Suwon.
“A medida que la tasa de penetración de DDR5 aumenta gradualmente, se espera que la escasez de DRAM persista en 2022”, dijo Avril Wu, vicepresidente de TrendForce Research. “También esperamos inicialmente un aumento de precios de 30 a 40 por ciento”.
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